BLF6G10LS-160 datasheet
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>> BLF6G10LS-160 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
BLF6G10LS-160
库存数量:
可订货
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶体管极性
N-Channel
频率
增益
输出功率
汲极/源极击穿电压
65 V
漏极连续电流
39 A
闸/源击穿电压
13 V
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
SOT502B
封装
Tube
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属性
链接
代理商
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BLF6G10LS-160/T3
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供应商
公司名
电话
北京耐芯威科技有限公司
010-62962871
刘先生
北京首天伟业科技有限公司
010-62565447
刘先生
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697
雷春艳
深圳市毅创辉电子科技有限公司
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史仙雁
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0755-83979745
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深圳市安博威科技有限公司
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吴
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129491949(手机优先
谭玉丽
BLF6G10LS-160 参考价格
价格分段
单价(美元)
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